15 стр. Изследване на фотодиоди 1. Да се снеме ВАХ на фотодиоди при работа във фотодиоден режим IФ = f ( UR ), при Протокол по Електроника nezabravima 25 Jan 2013 7 0
6 стр. : Изследване на статични характеристики на биполярен транзистор Схема на свързване обща база Протокол по Електроника nezabravima 25 Jan 2013 2 0
4 стр. Изследване на полупроводникови диоди 1. Да се снеме ВАХ в права и обратна посока при две различни температури Протокол по Електроника nezabravima 25 Jan 2013 3 0
7 стр. Изследване на ценерови диоди. Експериментално изследване на ВАХ на ценеров диод. Опитно и Протокол по Електроника nezabravima 25 Jan 2013 6 0
4 стр. Изследване на ВАХ на полупроводникови диоди Полупроводниковия диод може да се разглежда като устройство с един P-N преходи две полупроводникови области. Едната област която е Протокол по Електроника nezabravima 25 Jan 2013 3 0
5 стр. Изследване на опорни /ценерови и тунелни/ диоди Ценеровият диод е предназначен да стабилизира напрежение Протокол по Електроника nezabravima 25 Jan 2013 9 0
3 стр. Изследване ВАХ на PN-преход Теоретично изследване чрез моделиране с ЕИМ на волт-амперните Протокол по Електроника nezabravima 25 Jan 2013 1 0
5 стр. : Изследване на инпулсните свойства на полупроводникови диоди Преходните процеси, протичащи при бързо изменение Протокол по Електроника nezabravima 25 Jan 2013 6 0
4 стр. Изследване статичните характеристики на биполярен транзистор Биполярните транзистори са активни елементи с три облсти и два PN Протокол по Електроника nezabravima 24 Jan 2013 3 0
3 стр. Изследване статичните характеристики на транзистор в схема Общ Емитер Целта на упражнението е да се изследват статичните Протокол по Електроника nezabravima 24 Jan 2013 1 0