5 стр. Изследване на опорни /ценерови и тунелни/ диоди Ценеровият диод е предназначен да стабилизира напрежение Протокол по Електроника nezabravima 25 Jan 2013 9 0
5 стр. : Изследване на инпулсните свойства на полупроводникови диоди Преходните процеси, протичащи при бързо изменение Протокол по Електроника nezabravima 25 Jan 2013 6 0
3 стр. Изследване на характеристиките на MOS транзистор 1. Да се снемат семейството изходни статични характеристики Протокол по Електроника nezabravima 25 Jan 2013 1 1
4 стр. Изследване статичните характеристики на биполярен транзистор Биполярните транзистори са активни елементи с три облсти и два PN Протокол по Електроника nezabravima 24 Jan 2013 3 0
2 стр. Изследване на биполярен транзистор. • Да се изследва влиянието на положението на работната точка Упражнение по Електроника nezabravima 24 Jan 2013 1 0
3 стр. Изследване статичните характеристики на транзистор в схема Общ Емитер Целта на упражнението е да се изследват статичните Протокол по Електроника nezabravima 24 Jan 2013 1 0
4 стр. Изследване на статичните характеристики на биполярен транзистор. • Да се снеме семейство изходни характеристики Ic=f(UCB Упражнение по Електроника nezabravima 24 Jan 2013 1 0
3 стр. : Изследване честотните характеристики на биполярен транзистор Честотните свойства на транзистора се определят, от процесите на Протокол по Електроника nezabravima 24 Jan 2013 14 0
2 стр. : Изследване характеристиките на полеви транзистор Полевите транзистори са полупроводникови уреди, чиято работа се Протокол по Електроника nezabravima 24 Jan 2013 7 0
3 стр. 6 Изследване на фотодиоди Принципът на действие на полупроводниковите фотоприемници се основава на Упражнение по Електроника nezabravima 24 Jan 2013 3 0