31 стр. Изследване на практически схеми с полупроводникови диоди Да се изследва работата на схемите от файлове от EP1 до EP10: Протокол по Електроника nezabravima 25 Jan 2013 3 1
7 стр. Изследване на светодиоди 1. Да се снемат в права посока волт-амперните характеристики на светодиоди с Протокол по Електроника nezabravima 25 Jan 2013 1 0
33 стр. Изследване на полупроводникови диоди Да се снеме волт-амперната характеристика /ВАХ/ в права и обратна посока , при Протокол по Електроника nezabravima 25 Jan 2013 9 0
8 стр. : Изследване работата на биполярен транзистор в динамичен режим Да се изследва влиянието на положението на работната точка върху формата на изход-ния сигнал. Протокол по Електроника nezabravima 25 Jan 2013 8 1
7 стр. Изследване характеристиките на MOS транзистор Да се снемат семейството изходни статични характеристики ID = f(UDS) при UGS = const Протокол по Електроника nezabravima 25 Jan 2013 1 1
15 стр. Изследване на фотодиоди 1. Да се снеме ВАХ на фотодиоди при работа във фотодиоден режим IФ = f ( UR ), при Протокол по Електроника nezabravima 25 Jan 2013 7 0
6 стр. : Изследване на статични характеристики на биполярен транзистор Схема на свързване обща база Протокол по Електроника nezabravima 25 Jan 2013 2 0
4 стр. Изследване на полупроводникови диоди 1. Да се снеме ВАХ в права и обратна посока при две различни температури Протокол по Електроника nezabravima 25 Jan 2013 3 0
4 стр. Изследване на ВАХ на полупроводникови диоди Полупроводниковия диод може да се разглежда като устройство с един P-N преходи две полупроводникови области. Едната област която е Протокол по Електроника nezabravima 25 Jan 2013 3 0
5 стр. Изследване на опорни /ценерови и тунелни/ диоди Ценеровият диод е предназначен да стабилизира напрежение Протокол по Електроника nezabravima 25 Jan 2013 9 0