Диелектрични слоеве от SiO2 и Si3N4 . Волт – фарадни характеристики на МОS структура

При производство на микроелектронни елементи се използват диелектрични слоеве

РЕКЛАМИРАЙТЕ ВАШИТЕ УСЛУГИ

Ако предлагате частни уроци, може да рекламирате услугите си напълно безплатно!

Създайте вашия профил

Информация и рейтинг

Дата: 2013-01-26
Тип: Упражнение
Предмет: Електроника
Страници: 3 стр.
Размер: 97.50 kB
Рейтинг:
Сподели:

0

Свален

0

Рейтинг

2

Прочетен

Публикуван от

ndoe

Всички оферти наЕдно място!
Document loading..